在復雜的芯片生產工藝中，硫酸也是必不可少的試劑。

 

       硅圓片在加工過程中，常常會被不同的雜質所沾污，硅圓片上不溶性固體顆粒或金屬離子可能在微細電路之間導電，使之短路。鈉、鈣等堿金屬雜質也會融進氧化膜中，導致耐絕緣電壓下降。硼、磷、砷等雜質離子會影響擴散劑的擴散效果，塵埃顆粒會造成光刻缺陷，氧化層不平整，影響制版質量和等離子蝕刻工藝。

 

       為了獲得高質量集成電路芯片，必須除去各種沾污物，這就需要使用非常純凈的化學試劑來清洗硅圓片。硫酸和過氧化氫可以按比例組成有強氧化性的SPM清洗液，將有機物氧化成CO2和H2O。它還可用于光刻過程中的濕法蝕刻去膠，借助于化學反應從硅圓片的表面除去固體物質，導致固體表面全部或局部溶解。

 

       硫酸在此處的作用是消除晶圓上的各種雜質，那么其本身就絕對不能做為污染源再引入雜質，因此該工藝對于硫酸本身純凈度的要求也相當高。1975年，美國的國際半導體設備與材料協會（Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI）首先為微電子工業配套的電子級化學品制定了統一標準（SEMI標準）；1978年，德國的默克公司也制定了MOS標準。兩種標準對電子級化學品中金屬雜質和微粒（塵埃）的要求各有側重，分別適用于不同級別IC的制作要求。到目前為止，中國還沒有電子級硫酸國家標準，現行的硫酸標準有GB/T 534-2014《工業硫酸》、HG/T 4559-2013《超凈高純硫酸》和HG/T 2692-2015《蓄電池用硫酸》均不適合電子級硫酸產品，中國的試劑企業一般將電子級硫酸劃分為低塵高純級、MOS級和BV-III級，其中BV-III級電子級硫酸的單項金屬雜質質量分數不超過1×10-8，相當于SEMI-C7標準。

 

       瑞士萬通智能離子色譜系統和伏安極譜儀可以針對電子級硫酸中多種雜質進行檢測。瑞士制造，瑞士品質，滿足您的各種檢測需求。

 

       離子色譜法

       測定電子級硫酸中F-含量

       有機酸排斥柱可以分離F-，還可以不受極端PH的影響，而其它常規陰離子在排斥柱上無保留。

 

       離子色譜法

       測定電子級硫酸中陽離子含量

       本實驗用雙閥切換結合氫氧根離子固相萃取柱（IC-OH）技術中和濃硫酸待測液中的氫離子。

 

       分離柱：METROSEP C4-150

       淋洗液：1.7mM HNO3+0.7mM 吡啶二羧酸的超純水溶液

       六通閥A：定量環1.5μL，六通閥B：定量環100μL

       流速：0.9mL/min。多思加液器(Dosino)加液速度1.0mL/min，把1.5μL 

 

       樣品從閥A通過IC-OH柱轉移到閥B的體積為0.3mL。

 

       伏安極譜法

       測定電子級硫酸中重金屬含量

       已知體積及質量的樣品置于用硝酸浸泡過夜的燒杯中，然后用優級純的氨水調節pH至7，所得樣品最后用超純水定容至100mL。